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一种图案化光敏BCB半导体结构的制备方法

基本信息

申请号	CN202010106815.3	申请日	-
公开（公告）号	CN111399350A	公开（公告）日	2020-07-10
申请公布号	CN111399350A	申请公布日	2020-07-10
分类号	G03F7/42(2006.01)I;G03F7/20(2006.01)I	分类	-
发明人	黄鹤;张恩;李紫谦;许海明	申请（专利权）人	武汉光安伦光电技术有限公司
代理机构	北京汇泽知识产权代理有限公司	代理人	武汉光安伦光电技术有限公司
地址	430074湖北省武汉市东湖开发区光谷金融港B26-802
法律状态	-

摘要

本发明提供了一种图案化光敏BCB半导体结构的制备方法，包括S1，在外延结构的衬底表面生长第一层二氧化硅薄膜，并在第一层二氧化硅薄膜上制作第一个光刻胶图形；S2，制作完成后，去除曝光区域的第一层二氧化硅薄膜，并采用碱溶液去除表面的光刻胶；S3，在剩余的第一层二氧化硅薄膜上涂覆光敏BCB，并光刻光敏BCB直至暴露出衬底，然后进行固化，并刻蚀光敏BCB；S4，在图案化的光敏BCB表面沉积第二层二氧化硅薄膜，并在第二层二氧化硅薄膜上制作第二个光刻胶图形；S5，制作完第二个光刻胶图形后，去除曝光区域的第二层二氧化硅薄膜，并采用有机溶液去除表面的光刻胶。本发明解决了在半导体工艺制造过程中光敏BCB遇碱性溶液发生反应而破裂的问题。