芯片腔体的加工方法以及半导体激光器专利查询专利号|摘要-满商公司网

芯片腔体的加工方法以及半导体激光器

基本信息

申请号	CN202011038284.5	申请日	-
公开（公告）号	CN112366516A	公开（公告）日	2021-02-12
申请公布号	CN112366516A	申请公布日	2021-02-12
分类号	H01S5/10(2021.01)I;H01S5/185(2021.01)I	分类	基本电气元件;
发明人	游顺青;许海明;唐琦	申请（专利权）人	武汉光安伦光电技术有限公司
代理机构	北京汇泽知识产权代理有限公司	代理人	胡建文
地址	430074湖北省武汉市东湖开发区光谷金融港B26-802
法律状态	-

摘要

本发明涉及一种芯片腔体的加工方法，包括S1，先对芯片腔体进行烘烤；S2，待烘烤完成后，再对芯片腔体的出光腔面进行第一次离子清洗；S3，待清洗完成后，于出光腔面上镀高透膜，高透膜至少包括覆盖在出光腔面上的第一SiO保护层；S4，待镀膜完成后，再对芯片腔面的背光腔面进行第二次离子清洗；S5，待清洗完成后，于背光腔面上镀高反膜，高反膜至少包括覆盖在背光腔面上的第二SiO保护层。还提供一种半导体激光器，包括上述芯片腔体的加工方法制得的芯片腔体。本发明采用SiO保护层提升产品腔面的致密性，降低膜层表面粗糙度，使膜系质量整体提升，降低电子束蒸发造成的柱状晶结构，减少水气及氧气渗透到半导体腔面的影响，提升高速芯片的寿命及可靠性。