去膜的铝硅键合工艺
基本信息
| 申请号 | CN201910800765.6 | 申请日 | - |
| 公开（公告）号 | CN111933602A | 公开（公告）日 | 2020-11-13 |
| 申请公布号 | CN111933602A | 申请公布日 | 2020-11-13 |
| 分类号 | H01L23/488(2006.01)I;H01L21/60(2006.01)I | 分类 | 基本电气元件; |
| 发明人 | 李威;韩金龙 | 申请（专利权）人 | 格物感知（深圳）科技有限公司 |
| 代理机构 | 苏州通途佳捷专利代理事务所（普通合伙） | 代理人 | 格物感知（深圳）科技有限公司 |
| 地址 | 518000广东省深圳市福田区福保街道市花路长富金茂大厦37层3710F | ||
| 法律状态 | - | ||
摘要
| 摘要 | 本发明及晶圆焊接领域，公开了一种去膜的铝硅键合工艺，先将贴片后待封装的产品放入等离子清洗机中清洗去氧化和异物，再将待焊接的产品放入充有氮氢混合惰性气体的机器进行保护，然后将产品使用载具固定在机器中，按照焊线的位置进行程序的编辑，最后调整超声波、压力参数焊接铝线与硅片。去掉金线焊接中必须使用的高温焊接，减少对高温敏感的PCB或元器件的影响限制，直接使用铝线和硅片键合，省去了镀铝这项工艺，可以减少很多后续工艺降低成本，提高了可靠性，实现了晶圆生产中后续加工，只需原始硅片即可完成相应的焊接封装与电测性测试。 |
