TEOS膜的制作方法
基本信息
| 申请号 | CN202111010449.2 | 申请日 | - |
| 公开（公告）号 | CN113667964A | 公开（公告）日 | 2021-11-19 |
| 申请公布号 | CN113667964A | 申请公布日 | 2021-11-19 |
| 分类号 | C23C16/44（2006.01）I;C23C16/02（2006.01）I;C23C16/505（2006.01）I;H01L21/02（2006.01）I | 分类 | 对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面化学处理；金属材料的扩散处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆；金属材料腐蚀或积垢的一般抑制〔2〕; |
| 发明人 | 方合;宋维聪 | 申请（专利权）人 | 陛通半导体设备（苏州）有限公司 |
| 代理机构 | 北京超凡宏宇专利代理事务所（特殊普通合伙） | 代理人 | 严诚 |
| 地址 | 215413江苏省苏州市太仓市大连东路36号3#1-2层 | ||
| 法律状态 | - | ||
摘要
| 摘要 | 本申请公开了一种TEOS膜的制作方法，涉及半导体技术领域。该方法包括在硅晶圆上沉积第一层TEOS薄膜以及在第一层TEOS薄膜上沉积第二层TEOS薄膜，其中第一层TEOS薄膜沉积过程中未采用低频射频电源进行电离，而第二层TEOS薄膜的沉积过程中采用了低频射频电源进行电离。第一层TEOS薄膜的厚度为20～400nm，第二层TEOS薄膜的厚度为2000～6000nm。第一层TEOS薄膜具有较低的压应力，使得其与硅晶圆的粘附力较强而不容易脱膜。第二层TEOS薄膜的具有较佳的致密性，从而降低漏电流。因此，采用本申请提供的制作方法制得的TEOS膜既保持了较好的绝缘性能，同时也不容易从硅晶圆上脱落。 |
