电阻温度系数趋于零的钴锗合金薄膜的制备方法
基本信息
| 申请号 | CN202110745661.7 | 申请日 | - |
| 公开（公告）号 | CN113481484B | 公开（公告）日 | 2022-03-08 |
| 申请公布号 | CN113481484B | 申请公布日 | 2022-03-08 |
| 分类号 | C23C16/06（2006.01）I;C23C16/505（2006.01）I;C23C16/455（2006.01）I;C23C16/16（2006.01）I;C23C16/18（2006.01）I | 分类 | 对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面化学处理；金属材料的扩散处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆；金属材料腐蚀或积垢的一般抑制〔2〕; |
| 发明人 | 高政宁;宋维聪 | 申请（专利权）人 | 陛通半导体设备（苏州）有限公司 |
| 代理机构 | 上海光华专利事务所（普通合伙） | 代理人 | 卢炳琼 |
| 地址 | 215413江苏省苏州市太仓市大连东路36号3#1-2层 | ||
| 法律状态 | - | ||
摘要
| 摘要 | 本发明提供一种电阻温度系数趋于零的钴锗合金薄膜的制备方法，该钴锗合金薄膜中，锗的原子百分比含量为15％‑20％，钴锗合金薄膜的电阻温度系数小于200ppm/℃，制备方法包括将生长基底放置于沉积腔室内，依次或者先后向沉积腔室内通入含钴气体和含锗气体，以于生长基底上制备电阻温度系数趋于零的钴锗合金薄膜的步骤。该钴锗合金薄膜电阻温度系数小，此外还具有抗氧化性好，稳定性高等优点，在用于制备诸如接触孔等互连结构时，可以显著提高器件本身的抗温度性能，从而实现在不改变器件设计的情况下，减小器件发热和提高器件性能的效果。且可以采用PECVD和PEALD工艺制备，可以与现有的半导体制备工艺完美融合，有助于降低其制备成本，提高其适用性。 |
