改善填充膜均匀性的基座装置、溅射设备及溅射工艺
基本信息
| 申请号 | CN202110935312.1 | 申请日 | - |
| 公开（公告）号 | CN113388820B | 公开（公告）日 | 2021-11-09 |
| 申请公布号 | CN113388820B | 申请公布日 | 2021-11-09 |
| 分类号 | C23C14/50（2006.01）I;C23C14/35（2006.01）I;C23C14/54（2006.01）I | 分类 | 对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面化学处理；金属材料的扩散处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆；金属材料腐蚀或积垢的一般抑制〔2〕; |
| 发明人 | 陈东伟;周云;宋维聪 | 申请（专利权）人 | 陛通半导体设备（苏州）有限公司 |
| 代理机构 | 苏州市中南伟业知识产权代理事务所（普通合伙） | 代理人 | 李艾 |
| 地址 | 215413江苏省苏州市太仓市大连东路36号3#1-2层 | ||
| 法律状态 | - | ||
摘要
| 摘要 | 本发明涉及改善填充膜均匀性的基座装置、溅射设备及溅射工艺，包括固定底板、基台和倾斜组件，所述倾斜组件安装于所述固定底板上，所述倾斜组件连接所述基台外缘与所述固定底板，所述倾斜组件在所述基台周围设置有至少三组，所述倾斜组件调节所述基台的边缘与所述固定底板之间的距离以实现所述基台向四周均匀摇摆。溅射设备还包括靶材装置和磁吸组件。溅射工艺包括控制基台均匀摇摆。本发明通过令基台摇摆，使得从靶材装置上飞出的溅射粒子能够在基台上基片深孔的一周进行沉积，保证深孔填充的均匀性。 |
