改善深孔填充均匀性的靶材组件、溅射设备及设计方法
基本信息
| 申请号 | CN202110932079.1 | 申请日 | - |
| 公开（公告）号 | CN113637947A | 公开（公告）日 | 2021-11-12 |
| 申请公布号 | CN113637947A | 申请公布日 | 2021-11-12 |
| 分类号 | C23C14/35（2006.01）I | 分类 | 对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面化学处理；金属材料的扩散处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆；金属材料腐蚀或积垢的一般抑制〔2〕; |
| 发明人 | 陈东伟;周云;宋维聪 | 申请（专利权）人 | 陛通半导体设备（苏州）有限公司 |
| 代理机构 | 苏州市中南伟业知识产权代理事务所（普通合伙） | 代理人 | 李艾 |
| 地址 | 215413江苏省苏州市太仓市大连东路36号3#1-2层 | ||
| 法律状态 | - | ||
摘要
| 摘要 | 本发明涉及改善深孔填充均匀性的靶材组件、溅射设备及设计方法，包括靶材本体，所述靶材本体为溅射面是凹弧面的半球形，所述靶材本体的背面安装于靶材背板上，所述靶材背板另一侧设置有磁性部，所述靶材本体、靶材背板和磁性部同轴设置，且所述靶材背板及磁性部与所述靶材本体的溅射面的形状相匹配。设备还包括箱体和加热器，靶材组件的形状通过设计方法得出。本发明的靶材组件能够提高对基片上深孔填充的均匀性；溅射设备在保证填充均匀性的同时，减小了薄膜的内应力，提高成膜的致密度；设计方法，操作简单，得到的靶材组件填充均匀性好。 |
