一种应用于硅基材料的二氧化硅薄膜生成工艺
基本信息
| 申请号 | CN202111030211.6 | 申请日 | - |
| 公开（公告）号 | CN113707537A | 公开（公告）日 | 2021-11-26 |
| 申请公布号 | CN113707537A | 申请公布日 | 2021-11-26 |
| 分类号 | H01L21/02（2006.01）I | 分类 | 基本电气元件; |
| 发明人 | 周祥 | 申请（专利权）人 | 徐州金琳光电材料产业研究院有限公司 |
| 代理机构 | 合肥铭辉知识产权代理事务所（普通合伙） | 代理人 | 张立荣 |
| 地址 | 221400江苏省徐州市新沂市唐店街道众创产业园A05栋 | ||
| 法律状态 | - | ||
摘要
| 摘要 | 本发明属于硅基材料技术领域，尤其是一种应用于硅基材料的二氧化硅薄膜生成工艺，针对存在的介电和疏水效果不佳问题，现提出以下方案，包括以下步骤，S1，在薄膜生产时，准备洁净基片，镀膜前对基底进行严格的清洗，先把基片浸泡在丙酮溶液中25‑30min,然后利用超声波清洗机将基片进行超声振荡50‑60min，再用工业酒精重复擦洗，最后用低温氮气吹干。本发明利用采用溶胶—凝胶技术、蒸发诱导自组装法,通过酸/酸二步法控制工艺条件，制备的薄膜经过六甲基二硅胺烷（HMDS）表面修饰后具有良好的疏水性能和热稳定性，作为低介电材料能更好满足工业需求。 |
