一种在硅基材表面形成二氧化硅薄膜的制备设备

基本信息

申请号 CN202111041644.1 申请日 -
公开(公告)号 CN113737158A 公开(公告)日 2021-12-03
申请公布号 CN113737158A 申请公布日 2021-12-03
分类号 C23C16/52(2006.01)I;C23C16/40(2006.01)I;C23C16/46(2006.01)I;H01L21/02(2006.01)I;H01L21/67(2006.01)I 分类 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面化学处理;金属材料的扩散处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆;金属材料腐蚀或积垢的一般抑制〔2〕;
发明人 周祥 申请(专利权)人 徐州金琳光电材料产业研究院有限公司
代理机构 合肥铭辉知识产权代理事务所(普通合伙) 代理人 张立荣
地址 221400江苏省徐州市新沂市唐店街道众创产业园A05栋
法律状态 -

摘要

摘要 本发明属于二氧化硅薄膜制备技术领域,尤其是一种在硅基材表面形成二氧化硅薄膜的制备设备,针对存在的设备内温度、基板角度调节的问题,现提出以下方案,包括支架,所述支架用于支撑设备的一端;温度圈,所述温度圈用于支撑设备另一端;所述温度圈的一端设有前驱体输入组件,且温度圈的另一端设有真空度调节组件。本发明中利用激光发生器为狭缝式,通过反射呈激光带,由基板一侧移动覆盖,同时激光的发射角根据转动轴带动发射镜变化,同时的前驱体输入端,喷涂出雾化状的二氧化硅,在带状激光照射下依次基板表面覆膜,覆膜更加稳定紧密,而且整体的覆膜更均匀。