一种LED外延片反应炉
基本信息
| 申请号 | CN201220585682.3 | 申请日 | - |
| 公开（公告）号 | CN202898596U | 公开（公告）日 | 2013-04-24 |
| 申请公布号 | CN202898596U | 申请公布日 | 2013-04-24 |
| 分类号 | C30B25/08(2006.01)I;C30B25/14(2006.01)I | 分类 | 晶体生长〔3〕; |
| 发明人 | 王勇飞 | 申请（专利权）人 | 北京思捷爱普半导体设备有限公司 |
| 代理机构 | 北京东正专利代理事务所（普通合伙） | 代理人 | 李梦福 |
| 地址 | 101312 北京市顺义区空港工业园A区天竺综合保税区4号楼1层 | ||
| 法律状态 | - | ||
摘要
| 摘要 | 本实用新型公开了一种LED外延片反应炉，包括炉体、固定在炉体内的排气罩基座和固定在炉体顶部的炉盖，在炉体侧壁上开有开口，开口上固定有插板阀，炉体内部通过转轴连接有外延片基盘，排气罩基座固定在外延片基盘外侧且通过升降汽缸与炉体底部连接到一起。本技术方案中，外延片在生长完成后，将炉内加压，加压后通过升降汽缸将排气罩基座降到露出开口的位置，然后插板阀将炉体侧壁打开，由外部的机械手将外延片基盘上生长好的外延片取出，不用再打开炉盖和排气罩基座，提高了反应炉的生产效率，降低了取片放片的时间。 |
