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一种MOCVD反应炉

基本信息

申请号	CN201320577517.8	申请日	-
公开（公告）号	CN203569236U	公开（公告）日	2014-04-30
申请公布号	CN203569236U	申请公布日	2014-04-30
分类号	C30B25/02(2006.01)I	分类	晶体生长〔3〕;
发明人	陈依新;樊志滨;王勇飞	申请（专利权）人	北京思捷爱普半导体设备有限公司
代理机构	北京思海天达知识产权代理有限公司	代理人	北京思捷爱普半导体设备有限公司;新磊半导体科技（苏州）有限公司
地址	101312 北京市顺义区天竺综合保税区空港工业园A区竺园路8号，4号厂房1层
法律状态	-

摘要

一种MOCVD反应炉属于半导体外延生长领域，包括炉体、主盘部件和固定在炉体顶部的炉盖部件。炉盖部件的下表面有氢气膜形成环组成，炉盖部件上部有氢气进入口，为氢气膜提供氢气。主盘部件的副盘下表面边缘处有齿状结构，与定齿轮相互啮合。副盘置于一个由下保持架、陶瓷滚珠、上保持架组成一个部件上，保证了副盘旋转的顺畅。本技术方案中氢气从炉盖部件的氢气进口进入，经过氢气膜形成环之间的缝隙在炉盖的下表面形成氢气膜。这层氢气膜阻止了Ⅲ族源和Ⅴ族源气流与炉盖下表面接触，解决了颗粒缺陷外延片问题。主盘在旋转的时候，副盘在围绕主盘的轴心旋转并且副盘也围绕自己的轴心做自转，消除了热场轴向的不均匀性。使外延生长的更加均匀。