一种倒置MOCVD反应炉
基本信息
| 申请号 | CN201320577516.3 | 申请日 | - |
| 公开（公告）号 | CN203530482U | 公开（公告）日 | 2014-04-09 |
| 申请公布号 | CN203530482U | 申请公布日 | 2014-04-09 |
| 分类号 | C30B25/02(2006.01)I;C30B25/12(2006.01)I;C30B25/14(2006.01)I;C30B25/10(2006.01)I | 分类 | 晶体生长〔3〕; |
| 发明人 | 陈依新;樊志滨;王勇飞 | 申请（专利权）人 | 北京思捷爱普半导体设备有限公司 |
| 代理机构 | 北京思海天达知识产权代理有限公司 | 代理人 | 北京思捷爱普半导体设备有限公司;新磊半导体科技（苏州）有限公司 |
| 地址 | 101312 北京市顺义区天竺综合保税区空港工业园A区竺园路8号4号厂房1层 | ||
| 法律状态 | - | ||
摘要
| 摘要 | 一种倒置MOCVD反应炉属于半导体外延生长设备领域，包括炉体、固定在炉体内的排气罩基座和固定在炉体顶部的炉盖，在炉体侧壁上开有开口，开口上固定有插板阀，炉体内部通过转轴连接有石墨基盘，排气罩基座固定在外延片基盘外侧且通过升降汽缸与炉体底部连接到一起。本技术方案中，反应室内的压强大于石墨基盘内的压强，通过压强差将衬底紧紧的压在石墨基盘的相应位置。石墨基盘的旋转消除了气流场的不均匀性和热场的不均匀性，使外延生长更加均匀。外延生长面向下，Ⅲ族源和Ⅴ族源在反应室内反应生成的化合物晶体就不会落在外延生长面上，彻底解决了颗粒缺陷外延片问题。 |
