一种LED外延片倒置MOCVD反应炉
基本信息
| 申请号 | CN201310435540.8 | 申请日 | - |
| 公开（公告）号 | CN103526285B | 公开（公告）日 | 2016-03-30 |
| 申请公布号 | CN103526285B | 申请公布日 | 2016-03-30 |
| 分类号 | C30B25/12(2006.01)I | 分类 | 晶体生长〔3〕; |
| 发明人 | 樊志滨;陈依新;王勇飞 | 申请（专利权）人 | 北京思捷爱普半导体设备有限公司 |
| 代理机构 | 北京思海天达知识产权代理有限公司 | 代理人 | 北京思捷爱普半导体设备有限公司;新磊半导体科技（苏州）有限公司 |
| 地址 | 101312 北京市顺义区天竺综合保税区空港工业园A区竺园路8号4号厂房1层 | ||
| 法律状态 | - | ||
摘要
| 摘要 | 一种LED外延片倒置MOCVD反应炉属于半导体外延生长设备领域。包括炉体、炉盖通过插销装置固定的基盘承载部，排气整流罩固定在炉底且通过外置升降汽缸与源料导入管同时进行升降。本技术方案中，衬底片倒挂式放置，基盘、卫星盘围可实现同时旋转，基盘可整体利用机械臂搬送。此设计使衬底外延生长面向下，解决了因此问题导致良率过低的问题；基盘旋转带动卫星盘围绕基盘轴心旋转，同时，卫星盘也围绕其轴心自转，消除了气流场的不均匀性和热场的不均匀性，使外延生长更加均匀；基盘利用机械臂搬送，相比较频繁开炉盖、手动更换衬底工序，节省了大量时间、提高了生产效率，以及降低了反应腔室与外界接触频率，延长维护保养时限，节约成本。 |
