氧化镓单晶制备中抑制原料分解和铱金坩埚氧化的方法
基本信息
| 申请号 | CN202111460474.0 | 申请日 | - |
| 公开（公告）号 | CN114086249A | 公开（公告）日 | 2022-02-25 |
| 申请公布号 | CN114086249A | 申请公布日 | 2022-02-25 |
| 分类号 | C30B27/00（2006.01）I;C30B27/02（2006.01）I;C30B29/16（2006.01）I | 分类 | 晶体生长〔3〕; |
| 发明人 | 唐为华;李山 | 申请（专利权）人 | 北京镓和半导体有限公司 |
| 代理机构 | 北京清诚知识产权代理有限公司 | 代理人 | 喻颖 |
| 地址 | 100876北京市怀柔区雁栖经济开发区雁栖大街53号院13号楼3层01-325室 | ||
| 法律状态 | - | ||
摘要
| 摘要 | 一种氧化镓单晶制备中抑制原料分解和铱金坩埚氧化的方法。所述方法包括：在控制温度条件下生长氧化镓晶体，且将氧化镓的生长温度划分成至少两个的温度区间，对每一个温度区间设置不同的生长气氛。本发明的方法将氧化镓单晶制备过程中的温度细分为多个区间，通过不同温区气氛比例的精确控制，达到抑制原料分解挥发和铱金坩埚氧化挥发的目的，从而降低设备损耗，提高单晶质量，降低生产成本。本发明操作简单有效，成本低廉，有利于氧化镓单晶的工业化生产和科研探索。 |
