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沟槽式栅极结构IGBT

基本信息

申请号	CN201910817842.9	申请日	-
公开（公告）号	CN110473918A	公开（公告）日	2019-11-19
申请公布号	CN110473918A	申请公布日	2019-11-19
分类号	H01L29/739（2006.01）I; H01L29/423（2006.01）I; H01L29/06（2006.01）I; H01L23/367（2006.01）I	分类	基本电气元件;
发明人	义夫	申请（专利权）人	丽晶美能（北京）电子技术有限公司
代理机构	北京康信知识产权代理有限责任公司	代理人	梁文惠
地址	100070 北京市丰台区丰台东路58号9层906A房间
法律状态	-

摘要

本发明提供了一种沟槽式栅极结构IGBT。该沟槽式栅极结构IGBT包括衬底和多个IGBT元胞，各IGBT元胞包括栅极，衬底中具有多个第一沟槽单元和第二沟槽单元，各IGBT元胞的栅极一一对应设置在第一沟槽单元的沟槽中，至少相邻的第一沟槽单元通过第二沟槽单元连通，且第一沟槽单元和第二沟槽单元的沟槽中填充有栅极材料，位于第一沟槽单元中的栅极材料构成IGBT元胞的栅极。采用本发明的上述结构，不仅能够通过部分或全部去除位于衬底上方的栅极材料，以降低器件的寄生电容，还能够实现对各IGBT元胞之间距离的调整，进而使该沟槽式栅极结构IGBT能够具有优异的散热一致性，使该沟槽式栅极结构IGBT能够具有高功率密度。