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快恢复二极管及快恢复二极管的制作方法

基本信息

申请号 CN201410535524.0 申请日 -
公开（公告）号 CN104269444B 公开（公告）日 2017-10-17
申请公布号 CN104269444B 申请公布日 2017-10-17
分类号 H01L29/861(2006.01)I;H01L29/06(2006.01)I;H01L21/329(2006.01)I 分类 基本电气元件;
发明人 义夫 申请（专利权）人 丽晶美能（北京）电子技术有限公司
代理机构 北京康信知识产权代理有限责任公司 代理人 吴贵明;张永明
地址 100083 北京市海淀区学院路30号方兴大厦1010室
法律状态 -

摘要

摘要 本发明公开了一种快恢复二极管及快恢复二极管的制作方法。该快恢复二极管包括：具有凹槽的基体；掺杂结层，设置于基体中，且掺杂结层围绕凹槽的全部内表面设置，掺杂结层的导电类型与基体的导电类型相反；以及金属层，设置于凹槽中以及基体的表面上，且金属层与掺杂结层相连。本发明通过在基体中设置围绕凹槽的全部内表面的掺杂结层，从而使得金属层与掺杂结层之间形成良好地接触，进而降低了由于质量不好的凹槽侧壁(干法刻蚀会导致凹槽侧壁的质量不好)与金属层接触产生的漏电流。同时，具有上述结构的快恢复二极管还能避免凹槽边缘产生电流聚集，从而能够在肖特基区域获得一个更均匀的电流分布，进而提高了快恢复二极管的可靠性。