功率半导体器件的制备方法
基本信息
| 申请号 | CN202010403809.4 | 申请日 | - |
| 公开（公告）号 | CN111554741A | 公开（公告）日 | 2020-08-18 |
| 申请公布号 | CN111554741A | 申请公布日 | 2020-08-18 |
| 分类号 | H01L29/739(2006.01)I | 分类 | - |
| 发明人 | 贺东晓 | 申请（专利权）人 | 丽晶美能（北京）电子技术有限公司 |
| 代理机构 | 北京康信知识产权代理有限责任公司 | 代理人 | 王晓玲 |
| 地址 | 100070北京市丰台区丰台东路58号9层906A房间 | ||
| 法律状态 | - | ||
摘要
| 摘要 | 本发明提供了一种功率半导体器件的制备方法。该制备方法包括顺序形成有源区和终端区的步骤，形成终端区的步骤包括：在衬底上形成多个第一场板，各第一场板沿由有源区到终端区的方向间隔设置，且相邻各第一场板具有相等的第一间距，第一间距为0.1～8μm。对制备完成上述器件施加的偏置电压突变时，每个场板电容也将均匀的同时变化，从而不会造成电压在场板上的突变而导致的不稳定，降低了场板/场限环之间发生放电击穿的风险。此外，由于间隔设置的场板形成串联电容，从而能够牢牢地控制界面电势的梯度变化，进而能够消除外来的可动离子对终端电压的影响。 |
