快恢复二极管及快恢复二极管的制作方法
基本信息
| 申请号 | CN201410536362.2 | 申请日 | - |
| 公开（公告）号 | CN104269445B | 公开（公告）日 | 2017-11-10 |
| 申请公布号 | CN104269445B | 申请公布日 | 2017-11-10 |
| 分类号 | H01L29/861(2006.01)I;H01L21/329(2006.01)I | 分类 | 基本电气元件; |
| 发明人 | 义夫 | 申请（专利权）人 | 丽晶美能（北京）电子技术有限公司 |
| 代理机构 | 北京康信知识产权代理有限责任公司 | 代理人 | 丽晶美能（北京）电子技术有限公司;河南省丽晶美能电子技术有限公司 |
| 地址 | 100083 北京市海淀区学院路30号方兴大厦1010室 | ||
| 法律状态 | - | ||
摘要
| 摘要 | 本发明公开了一种快恢复二极管及快恢复二极管的制作方法。该快恢复二极管包括：具有凹槽的基体；掺杂结层，设置于凹槽的底部的基体中，掺杂结层的导电类型与基体的导电类型相反；介质层，设置于凹槽的侧壁上；以及金属层，设置于凹槽中以及基体的表面上，且金属层与掺杂结层和介质层相连。本发明通过在凹槽的侧壁上设置介质层，从而避免了金属层和凹槽的侧壁的直接接触，进而降低了由于质量不好的凹槽侧壁(干法刻蚀会导致凹槽侧壁的质量不好)与金属层接触产生的漏电流。同时，具有上述结构的快恢复二极管还能避免凹槽边缘产生电流聚集，从而能够在肖特基区域获得一个更均匀的电流分布，进而提高了快恢复二极管的可靠性。 |
