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一种改善EMI及降低特征电阻的超结器件及其制造方法

基本信息

申请号 CN202110046715.0 申请日 -
公开（公告）号 CN112786684A 公开（公告）日 2021-05-11
申请公布号 CN112786684A 申请公布日 2021-05-11
分类号 H01L29/06;H01L29/78;H01L21/336 分类 基本电气元件;
发明人 何军;胡兴正;薛璐;刘海波 申请（专利权）人 滁州华瑞微电子科技有限公司
代理机构 南京瑞华腾知识产权代理事务所（普通合伙） 代理人 邱欢欢
地址 239000 安徽省滁州市南谯区双庙路与兴隆路交叉口西南侧
法律状态 -

摘要

摘要 本发明公开了一种改善EMI及降低特征电阻的超结器件及其制造方法。该器件包括衬底、多层设置在衬底上侧的第一外延和设置在第一外延上侧的第二外延，每层第一外延上侧均掺杂形成有第一导电类型的掺杂区，并制作形成有多个间隔设置的第二导电类型的掺杂区，多层第一外延上的第二导电类型的掺杂区沿竖向排列设置，第二外延上刻蚀形成有多个沟槽，每一沟槽设置在一列第二导电类型的掺杂区的上侧，且其内部回填有第二导电类型的杂质，在纵向相邻的两个第二导电类型的掺杂区之间以及沟槽与其下侧的第二导电类型的掺杂区之间均连接有第二导电类型连接柱。本发明的单位面积特征电阻更低，具有良好的EMI特性，并且制作工艺复杂程度适中。