一种具有超高隔离电压的智能型超结MOS及其制造方法
基本信息
| 申请号 | CN202110532789.5 | 申请日 | - |
| 公开（公告）号 | CN113241371A | 公开（公告）日 | 2021-08-10 |
| 申请公布号 | CN113241371A | 申请公布日 | 2021-08-10 |
| 分类号 | H01L29/06（2006.01）I;H01L27/06（2006.01）I;H01L21/82（2006.01）I | 分类 | 基本电气元件; |
| 发明人 | 何军;胡兴正;薛璐;刘海波 | 申请（专利权）人 | 滁州华瑞微电子科技有限公司 |
| 代理机构 | 南京中擎科智知识产权代理事务所（普通合伙） | 代理人 | 黄智明 |
| 地址 | 239000安徽省滁州市南谯区双庙路与兴隆路交叉口西南侧 | ||
| 法律状态 | - | ||
摘要
| 摘要 | 本发明涉及超结MOS制造领域，公开了一种具有超高隔离电压的智能型超结MOS及其制造方法，其技术方案要点是包括集成连接在一个芯片上的主MOS、电阻R以及若干功能MOS，所述功能MOS设置在所述主MOS的范围内，所述功能MOS在芯片上的分布包括功能MOS隔离区和设置在所述功能隔离区内部的功能MOS有源区，所述功能MOS隔离区包括相邻间隔且呈环形设置的P型掺杂区和N型掺杂区，所述功能MOS有源区和主MOS包括若干组相互平行且间隔设置的P型掺杂区和N型掺杂区。 |
