一种集成SBR的低损耗高压超结器件及其制备方法专利查询专利号|摘要-满商公司网

一种集成SBR的低损耗高压超结器件及其制备方法

基本信息

申请号	CN202110589057.X	申请日	-
公开（公告）号	CN113314592A	公开（公告）日	2021-08-27
申请公布号	CN113314592A	申请公布日	2021-08-27
分类号	H01L29/06（2006.01）I;H01L29/78（2006.01）I;H01L21/336（2006.01）I	分类	基本电气元件;
发明人	许超;何军;胡兴正;薛璐;刘海波	申请（专利权）人	滁州华瑞微电子科技有限公司
代理机构	南京中擎科智知识产权代理事务所（普通合伙）	代理人	黄智明
地址	239000安徽省滁州市南谯区双庙路与兴隆路交叉口西南侧
法律状态	-

摘要

本发明涉及超结器件领域，公开了一种集成SBR的低损耗高压超结器件及其制备方法，其技术方案要点是在超结MOS器件上集成有SBR二极管，超结MOS器件包括N型外延层、N型衬底片，N型衬底片的外侧设置有蒸发层；N型外延层的表面有第一氧化层，N型外延层的外侧内部设置有深沟槽，深沟槽内填设有P型掺杂部，N型外延层在对应于MOS有源区的位置形成P型体区部；在P型体区部外侧设置有栅氧化层，栅氧化层的外侧有多晶层，在P型体区部的外侧边沿和栅氧化层边沿两侧下方之间设置有源极结构层，多晶层和源极结构层的外侧沉积设置有介质层；介质层进行开孔，开孔的孔底溅射设置势垒金属并形成势垒层，在开孔位置和介质层的外侧设置有金属层。