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一种具有电荷平衡结构的沟槽MOSFET及其制作方法

基本信息

申请号 CN202110115394.5 申请日 -
公开（公告）号 CN112909075A 公开（公告）日 2021-06-04
申请公布号 CN112909075A 申请公布日 2021-06-04
分类号 H01L29/06;H01L29/78;H01L21/336 分类 基本电气元件;
发明人 李加洋;胡兴正;薛璐;刘海波 申请（专利权）人 滁州华瑞微电子科技有限公司
代理机构 南京瑞华腾知识产权代理事务所（普通合伙） 代理人 邱欢欢
地址 239000 安徽省滁州市南谯区双庙路与兴隆路交叉口西南侧
法律状态 -

摘要

摘要 本发明公开了一种具有电荷平衡结构的沟槽MOSFET及其制作方法。它包括第一导电类型的衬底，衬底上侧生长外延，外延中部刻蚀形成第一沟槽，第一沟槽的表面生长有第一导电类型的连接层，连接层内侧的第一沟槽内经外延生长形成第二导电类型的柱区，第一沟槽两侧的外延内刻蚀形成第二沟槽，第二沟槽的表面长有氧化层，氧化层的上表面长有高K介质层。在第一沟槽内形成电荷平衡结构，引入平行电场，改变漂移区的电场分布，提高器件耐压，降低Rsp（单位面积电阻率），从而降低导通损耗，第二沟槽内采用高K介质材料，可优化第二深槽对BVDSS的制约作用，进一步优化器件性能，与现有工艺平台兼容，工艺实现简单且工艺窗口足够。