一种圆形栅功率器件的自对准p型制造方法
基本信息
| 申请号 | CN202110733465.8 | 申请日 | - |
| 公开（公告）号 | CN113436976A | 公开（公告）日 | 2021-09-24 |
| 申请公布号 | CN113436976A | 申请公布日 | 2021-09-24 |
| 分类号 | H01L21/336（2006.01）I | 分类 | 基本电气元件; |
| 发明人 | 张瑜洁;施广彦;李佳帅;李志君;黄波 | 申请（专利权）人 | 泰科天润半导体科技（北京）有限公司 |
| 代理机构 | 福州市鼓楼区京华专利事务所（普通合伙） | 代理人 | 王牌 |
| 地址 | 100000北京市海淀区西小口路66号中关村东升科技园B区1号楼106A、113A、115A、117A、119A、121A | ||
| 法律状态 | - | ||
摘要
| 摘要 | 本发明提供了一种圆形栅功率器件的自对准p型制造方法，包括：在含N型外延层的N+型衬底SiC表面进行P阱外延，形成一层P型外延层；在所述P型外延层氧化生长一层SiO2层；根据设定进行光刻刻蚀，去掉设定区域的SiO2层和P型外延层；在上述形成的结构上氧化生长一层SiO2，该SiO2生长厚度控制在1‑2μm；淀积poly，直至高于SiO2层；进行化学机械研磨，研磨至P型外延层表面；在上述形成的上表面进行P型离子注入，离子注入区域覆盖整个晶圆；通过淀积、光刻、刻蚀工艺形成介质层和接触孔，形成栅极和漏极的电极；下表面金属化，形成源极金属，完成功率器件制作，提高功率器件的可靠性。 |
