一种MOSFET栅源电压响应高频脉冲干扰的方法
基本信息
| 申请号 | CN202011102502.7 | 申请日 | - |
| 公开（公告）号 | CN112434401B | 公开（公告）日 | 2021-10-08 |
| 申请公布号 | CN112434401B | 申请公布日 | 2021-10-08 |
| 分类号 | G06F30/20（2020.01）I;G06F30/30（2020.01）I;G06F17/15（2006.01）I | 分类 | 计算；推算；计数; |
| 发明人 | 邵天骢;郑琼林;李志君;李虹;黄波;邱志东;张志朋;王作兴;王佳信 | 申请（专利权）人 | 泰科天润半导体科技（北京）有限公司 |
| 代理机构 | 福州市鼓楼区京华专利事务所（普通合伙） | 代理人 | 王牌 |
| 地址 | 100000北京市海淀区西直门外上园村3号 | ||
| 法律状态 | - | ||
摘要
| 摘要 | 本发明提供一种MOSFET栅源电压响应高频脉冲干扰的方法，将受到干扰的栅源电压划分为干扰动态分量以及稳态分量；根据干扰动态分量以及稳态分量建立栅源电压的动态响应模型，用于预测高频大功率变换器中，MOSFET栅源电压的干扰尖峰和振荡，具备简洁的数学表征和直观的物理意义。 |
