一种低阈值电压SiC圆形栅VDMOSFET功率器件
基本信息
| 申请号 | CN202120317492.2 | 申请日 | - |
| 公开（公告）号 | CN214378458U | 公开（公告）日 | 2021-10-08 |
| 申请公布号 | CN214378458U | 申请公布日 | 2021-10-08 |
| 分类号 | H01L29/78（2006.01）I;H01L29/417（2006.01）I;H01L29/423（2006.01）I;H01L29/06（2006.01）I;H01L29/16（2006.01）I | 分类 | 基本电气元件; |
| 发明人 | 施广彦;李昀佶 | 申请（专利权）人 | 泰科天润半导体科技（北京）有限公司 |
| 代理机构 | 福州市鼓楼区京华专利事务所（普通合伙） | 代理人 | 林燕 |
| 地址 | 100000北京市海淀区西小口路66号中关村东升科技园B区1号楼106A、113A、115A、117A、119A、121A | ||
| 法律状态 | - | ||
摘要
| 摘要 | 本实用新型提供了一种低阈值电压SiC圆形栅VDMOSFET功率器件，包括纵向自下而上的漏极、N型重掺衬底层、N型轻掺外延层、P型阱区、源极和栅极；所述栅极为圆形；整个栅极呈圆柱形，其除顶部外均被高k介质包围；所述P型阱区上设有介质槽，所述介质槽纵向深度小于P型阱区深度；所述源极以及漏极均设于所述介质槽内；栅极与源极接触部分呈现自然过渡，不存在有尖锐角度的情况，不容易发生电荷积累而造成的击穿问题，提高了VDMOSFET的可靠性。 |
