一种MOSFET栅极负反馈有源驱动电路
基本信息
| 申请号 | CN202022294764.X | 申请日 | - |
| 公开（公告）号 | CN214125140U | 公开（公告）日 | 2021-09-03 |
| 申请公布号 | CN214125140U | 申请公布日 | 2021-09-03 |
| 分类号 | H02M1/32（2007.01）I;H02M1/08（2006.01）I | 分类 | 发电、变电或配电; |
| 发明人 | 邵天骢;李志君;郑琼林;黄波;王俊兴 | 申请（专利权）人 | 泰科天润半导体科技（北京）有限公司 |
| 代理机构 | 福州市鼓楼区京华专利事务所（普通合伙） | 代理人 | 王牌 |
| 地址 | 100000北京市海淀区西直门外上园村3号 | ||
| 法律状态 | - | ||
摘要
| 摘要 | 本实用新型提供了一种MOSFET栅极负反馈有源驱动电路，用于SiC、GaN等宽禁带半导体器件在桥臂电路中的高速驱动。基于负反馈控制原理，在不牺牲开关速度的前提下，自动抑制栅源电压干扰，实现高速开关下的栅压稳定。所述电路包括：驱动推挽电路、驱动电阻、辅助电容和辅助MOSFET。其中驱动推挽电路为普通的MOSFET驱动芯片，驱动电阻为电阻R，辅助电容为电容C，辅助MOSFET为P沟道MOSFET Qp。该MOSFET栅极负反馈有源驱动电路结构简单，易于实现，可在不牺牲SiC、GaN等宽禁带半导体器件开关速度的前提下，自动抑制栅源电压干扰，实现高速开关下的栅压稳定。 |
