一种集成SBD的碳化硅UMOSFET器件
基本信息
| 申请号 | CN202120357500.6 | 申请日 | - |
| 公开（公告）号 | CN214378459U | 公开（公告）日 | 2021-10-08 |
| 申请公布号 | CN214378459U | 申请公布日 | 2021-10-08 |
| 分类号 | H01L29/78（2006.01）I;H01L29/06（2006.01）I;H01L29/16（2006.01）I;H01L29/417（2006.01）I;H01L29/45（2006.01）I;H01L29/47（2006.01）I;H01L21/336（2006.01）I | 分类 | 基本电气元件; |
| 发明人 | 施广彦;李昀佶 | 申请（专利权）人 | 泰科天润半导体科技（北京）有限公司 |
| 代理机构 | 福州市鼓楼区京华专利事务所（普通合伙） | 代理人 | 王牌 |
| 地址 | 100000北京市海淀区西小口路66号中关村东升科技园B区1号楼106A、113A、115A、117A、119A、121A | ||
| 法律状态 | - | ||
摘要
| 摘要 | 本实用新型提供了一种集成SBD的碳化硅UMOSFET器件，所述器件包括自下而上的第三金属，N+衬底和N‑外延层；N‑外延层具有第一P‑阱区、第一N+注入区、第一P+注入区、第二P+注入区、第一沟槽和第二沟槽；还包括：第一金属，第一金属覆盖部分第一N+注入区上表面、第一P‑阱区侧表面和第二P+注入区上表面以形成欧姆接触；第二金属，第二金属覆盖第一间隔上表面以形成肖特基接触；所述集成SBD的碳化硅UMOSFET器件集成了额外的肖特基二极管，提升器件续流能力；同时利用深P+屏蔽区和部分包围槽角的P+注入区有效屏蔽或缓解栅极氧化层左右两个槽角处的电场集中现象，从而提升器件的反向耐压能力和使用可靠性。 |
