一种具有埋层结构的深层肖特基功率器件及其制备方法
基本信息
| 申请号 | CN202110613801.5 | 申请日 | - |
| 公开（公告）号 | CN113394292A | 公开（公告）日 | 2021-09-14 |
| 申请公布号 | CN113394292A | 申请公布日 | 2021-09-14 |
| 分类号 | H01L29/78（2006.01）I;H01L29/06（2006.01）I;H01L21/336（2006.01）I | 分类 | 基本电气元件; |
| 发明人 | 张瑜洁;施广彦;刘刚;李志君;黄波 | 申请（专利权）人 | 泰科天润半导体科技（北京）有限公司 |
| 代理机构 | 福州市鼓楼区京华专利事务所（普通合伙） | 代理人 | 王牌 |
| 地址 | 100000北京市海淀区西小口路66号中关村东升科技园B区1号楼106A、113A、115A、117A、119A、121A | ||
| 法律状态 | - | ||
摘要
| 摘要 | 本发明提供了一种具有埋层结构的深层肖特基功率器件及其制备方法，所述器件包括：衬底层；缓冲层设于所述衬底层上侧面；至少一块埋层，所述埋层设于所述缓冲层上侧面，所述埋层宽度小于所述缓冲层宽度；漂移层设于所述缓冲层上侧面，所述埋层设于所述缓冲层以及漂移层之间，所述漂移层上设有至少一个漂移凹槽；至少一块绝缘型多晶硅层，所述绝缘型多晶硅层设于所述漂移凹槽内，所述绝缘型多晶硅层设有一多晶硅凹槽；至少一块肖特基接触电极，所述肖特基接触电极设于所述多晶硅凹槽内；阳极设于所述漂移层上，且与所述绝缘型多晶硅层以及肖特基接触电极连接；阴极连接至所述衬底层下侧面；解决器件元胞面积过大的问题。 |
