一种三栅SiCJFET横向器件
基本信息
| 申请号 | CN202110171334.5 | 申请日 | - |
| 公开（公告）号 | CN113161425A | 公开（公告）日 | 2021-07-23 |
| 申请公布号 | CN113161425A | 申请公布日 | 2021-07-23 |
| 分类号 | H01L29/808（2006.01）I;H01L29/423（2006.01）I;H01L29/16（2006.01）I | 分类 | 基本电气元件; |
| 发明人 | 施广彦;秋琪;李昀佶 | 申请（专利权）人 | 泰科天润半导体科技（北京）有限公司 |
| 代理机构 | 福州市鼓楼区京华专利事务所（普通合伙） | 代理人 | 林燕 |
| 地址 | 100000北京市海淀区西小口路66号中关村东升科技园B区1号楼106A、113A、115A、117A、119A、121A | ||
| 法律状态 | - | ||
摘要
| 摘要 | 本发明提供了一种三栅SiC JFET横向器件，包括纵向自下而上的体电极、外延层、沟道区、源极、漏极、两个第一侧栅和顶栅；每个所述第一侧栅顶部与顶栅相连，两个第一侧栅和顶栅形成倒U型栅金属结构，每个所述第一侧栅底部与外延层连接，并在顶栅处形成栅电极；所述顶栅和第一侧栅均与沟道区直接接触形成pn结；所述源极以及漏极均连接至所述外延层，且均与所述沟道区连接；在较低栅压情况下有足够低的比接触电阻，在低工作频率应用情况下，可以大幅降低驱动功耗。 |
