双栅型功率金属氧化物半导体场效应晶体管及其驱动电路
基本信息
| 申请号 | CN202023183144.5 | 申请日 | - |
| 公开（公告）号 | CN214152896U | 公开（公告）日 | 2021-09-07 |
| 申请公布号 | CN214152896U | 申请公布日 | 2021-09-07 |
| 分类号 | H01L25/07（2006.01）I;H03K19/0175（2006.01）I | 分类 | 基本电气元件; |
| 发明人 | 邵天骢;李志君;郑琼林;黄波;王俊兴 | 申请（专利权）人 | 泰科天润半导体科技（北京）有限公司 |
| 代理机构 | 福州市鼓楼区京华专利事务所（普通合伙） | 代理人 | 王牌 |
| 地址 | 100000北京市海淀区西直门外上园村3号 | ||
| 法律状态 | - | ||
摘要
| 摘要 | 本实用新型提供了一种双栅型功率金属氧化物半导体场效应晶体管及其驱动电路,包括主功率单元以及辅助稳定单元，所述主功率单元为第一MOSFET Q1，所述辅助稳定单元为第二MOSFET Q2；在较高的漏源电压电流变化率条件下，保持MOSFET栅源电压稳定性，让MOSFET获得鲁棒免疫高开关速度干扰的特性。采用该功率半导体器件的电力电子变换器系统能够可靠工作于更高频率、更高电压的环境。 |
