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半导体工艺以及半导体结构

基本信息

申请号 CN202111147872.7 申请日 -
公开（公告）号 CN113948446A 公开（公告）日 2022-01-18
申请公布号 CN113948446A 申请公布日 2022-01-18
分类号 H01L21/762（2006.01）I;H01L27/12（2006.01）I 分类 基本电气元件;
发明人 汪洋;张耀辉 申请（专利权）人 苏州华太电子技术股份有限公司
代理机构 北京康信知识产权代理有限责任公司 代理人 霍文娟
地址 215000江苏省苏州市工业园区星湖街328号创意产业园10-1F
法律状态 -

摘要

摘要 本申请提供了一种半导体工艺以及半导体结构，该半导体工艺包括：提供第一基底和第二基底，第一基底包括依次层叠的第一衬底、富陷阱层以及致密层，第二基底包括依次层叠的第二衬底以及有源层；在第一基底的裸露表面上形成介电层，形成第一键合基底，和/或，在第二基底的裸露表面上形成介电层，形成第二键合基底；以介电层作为键合界面，对以下之一进行键合：第一基底和第二键合基底、第一键合基底和第二基底、第一键合基底和第二键合基底，得到键合结构；去除键合结构的第二衬底，以使得有源层裸露。本申请通过在富陷阱层上形成致密层，可得到表面较为平坦的富陷阱层。