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一种双管芯合封的共源共栅GaN功率器件

基本信息

申请号	CN202122725392.6	申请日	-
公开（公告）号	CN216084887U	公开（公告）日	2022-03-18
申请公布号	CN216084887U	申请公布日	2022-03-18
分类号	H01L25/18（2006.01）I;H01L23/495（2006.01）I;H03K17/687（2006.01）I	分类	基本电气元件;
发明人	彭虎;杜睿;卢烁今	申请（专利权）人	苏州华太电子技术股份有限公司
代理机构	南京利丰知识产权代理事务所（特殊普通合伙）	代理人	艾中兰;王锋
地址	215000江苏省苏州市工业园区星湖街328号创意产业园10-1F
法律状态	-

摘要

本实用新型公开了一种双管芯合封的共源共栅GaN功率器件，其中包含合封的GaN‑FET管芯和Si‑LDMOS管芯，Si‑LDMOS管芯的漏极与GaN‑FET管芯的源极相连，GaN‑FET管芯的源、漏极均由正面引出，其中漏极作为GaN功率器件成品的漏极引出，Si‑LDMOS管芯的栅极引出作为GaN功率器件成品的栅极引出，Si‑LDMOS管芯的源极从背面引出，与GaN‑FET管芯的栅极相连并引出作为GaN功率器件成品的源极引出。本实用新型提出了一种新封装结构，通过加大引线框架面积，将Si‑LDMOS管芯焊接在框架上，相应PIN脚直接引出，最大程度降低封装的共源极寄生电感。本实用新型通过若干优化封装方案，显著降低合封器件的源极寄生电感，提升GaN功率器件的开关性能。