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应用于射频放大的RFLDMOS器件及其制作方法

基本信息

申请号	CN202010877677.9	申请日	-
公开（公告）号	CN114122131A	公开（公告）日	2022-03-01
申请公布号	CN114122131A	申请公布日	2022-03-01
分类号	H01L29/78（2006.01）I;H01L29/06（2006.01）I;H01L21/336（2006.01）I	分类	基本电气元件;
发明人	彭虎;莫海锋;岳丹诚	申请（专利权）人	苏州华太电子技术股份有限公司
代理机构	南京利丰知识产权代理事务所（特殊普通合伙）	代理人	赵世发
地址	215000江苏省苏州市工业园区星湖街328号创意产业园10-1F
法律状态	-

摘要

本发明公开了一种应用于射频放大的RFLDMOS器件及其制作方法。所述RFLDMOS器件包括依次叠层设置的衬底和外延层，所述外延层内分布有沟道区、漂移区和阱区，所述漂移区内形成有漏区，所述阱区内形成有源区和掺杂区，所述沟道区还分别与所述阱区、漂移区电性接触或电性结合，所述源区还与所述掺杂区电性接触或电性结合；以及，源极、栅极和漏极，所述栅极对应设置在所述沟道区的上方，所述源极与所述源区电连接，所述漏极与所述漏区电连接，所述源极还经一导电通道与所述衬底连接；所述衬底、外延层、阱区和掺杂区均为第一掺杂类型，所述沟道区、漂移区、源区、漏区均为第二掺杂类型。本发明提供的RFLDMOS器件，有效抑制了沟道热载流子注入效应，提升了电流密度。