一种射频LDMOS器件及其制作工艺
基本信息
| 申请号 | CN202010913893.4 | 申请日 | - |
| 公开（公告）号 | CN114141735A | 公开（公告）日 | 2022-03-04 |
| 申请公布号 | CN114141735A | 申请公布日 | 2022-03-04 |
| 分类号 | H01L23/48（2006.01）I;H01L29/06（2006.01）I;H01L29/78（2006.01）I;H01L21/336（2006.01）I;H01L21/48（2006.01）I;H01L21/60（2006.01）I | 分类 | 基本电气元件; |
| 发明人 | 莫海锋;彭虎 | 申请（专利权）人 | 苏州华太电子技术股份有限公司 |
| 代理机构 | 南京利丰知识产权代理事务所（特殊普通合伙） | 代理人 | 赵世发 |
| 地址 | 215000江苏省苏州市工业园区星湖街328号创意产业园10-1F | ||
| 法律状态 | - | ||
摘要
| 摘要 | 本发明公开了一种射频LDMOS器件及其制作工艺。所述器件包括衬底，设置于衬底上的外延层、第一层金属层和半通孔焊盘，外延层的厚度大于10um，且外延层的电阻率是衬底电阻率的10000倍以上。外延层内形成有器件的体接触区和半通孔，半通孔的一端穿过体接触区至外延层远离衬底的表面，另一端穿过外延层与衬底连接；半通孔焊盘位于第一金属层和外延层之间，且其一端与第一金属层连接，另一端与半通孔连接。本发明通过将厚且高祖的外延层与半通孔结合，提高了器件的击穿电压范围，降低了器件的电容，同时，进一步降低了器件连接衬底的电阻，提高了器件的增益和效率。且与全通孔相比，具有更低的成本，器件也更稳定。 |
