一种射频LDMOS集成器件
基本信息
| 申请号 | CN202010905406.X | 申请日 | - |
| 公开（公告）号 | CN114122134A | 公开（公告）日 | 2022-03-01 |
| 申请公布号 | CN114122134A | 申请公布日 | 2022-03-01 |
| 分类号 | H01L29/78（2006.01）I;H01L23/522（2006.01）I;H01L23/528（2006.01）I | 分类 | 基本电气元件; |
| 发明人 | 莫海锋 | 申请（专利权）人 | 苏州华太电子技术股份有限公司 |
| 代理机构 | 南京利丰知识产权代理事务所（特殊普通合伙） | 代理人 | 赵世发 |
| 地址 | 215000江苏省苏州市工业园区星湖街328号创意产业园10-1F | ||
| 法律状态 | - | ||
摘要
| 摘要 | 本发明公开了一种射频LDMOS集成器件，包括基岛、贴片于基岛上的衬底、位于衬底上的电路区域、输入电极和输出电极，电路区域内集成有输入匹配电容，输出匹配电容、LDMOS器件和第一层金属，输入匹配电容与LDMOS器件的栅极电连接，输出匹配电容与LDMOS器件的漏极电连接，且输入匹配电容与第一层金属之间、输出匹配电容与第一层金属之间、第一层金属与LDMOS器件之间、第一层金属和衬底之前均通过通孔连接；输入电极与输入匹配电容电连接；输出电极与输出匹配电容或LDMOS器件的漏极电连接。本发明缩短了回路电流的路径，有效的减少了谐振回路的电阻，减少了匹配电路的损耗，提高器件效率。 |
