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射频功率芯片封装结构

基本信息

申请号 CN202122461581.7 申请日 -
公开（公告）号 CN215815875U 公开（公告）日 2022-02-11
申请公布号 CN215815875U 申请公布日 2022-02-11
分类号 H01L25/16（2006.01）I;H01L23/31（2006.01）I;H01L23/367（2006.01）I 分类 基本电气元件;
发明人 魏国 申请（专利权）人 苏州华太电子技术股份有限公司
代理机构 南京利丰知识产权代理事务所（特殊普通合伙） 代理人 赵世发
地址 215000江苏省苏州市工业园区星湖街328号创意产业园10-1F
法律状态 -

摘要

摘要 本实用新型公开了一种射频功率芯片封装结构。所述射频功率芯片封装结构包括：封装框架以及被封装在所述封装框架内的射频功率芯片、输出匹配电路组件和第一焊盘，其中，所述射频功率芯片和输出匹配电路组件固定设置在一封装基岛上，且所述射频功率芯片还与所述输出匹配电路组件电连接；以及，所述射频功率芯片和输出匹配电路组件还与所述第一焊盘电连接。本实用新型提供的射频功率芯片封装结构，射频功率芯片主体部分采用QFN封装方式进行封装，输出匹配电路组件通过LGA方式与射频功率芯片集成设置在同一封装基岛上，使得该射频功率芯片封装结构既具有优异的电性能和散热性能，又降低了输出匹配的损耗。