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高迁移率的p型多晶硅栅LDMOS器件及其制作方法

基本信息

申请号	CN202010707870.8	申请日	-
公开（公告）号	CN113964190A	公开（公告）日	2022-01-21
申请公布号	CN113964190A	申请公布日	2022-01-21
分类号	H01L29/10（2006.01）I;H01L29/78（2006.01）I;H01L21/336（2006.01）I	分类	基本电气元件;
发明人	莫海锋	申请（专利权）人	苏州华太电子技术股份有限公司
代理机构	南京利丰知识产权代理事务所（特殊普通合伙）	代理人	赵世发
地址	215000江苏省苏州市工业园区星湖街328号创意产业园10-1F
法律状态	-

摘要

本发明公开了一种高迁移率的p型多晶硅栅LDMOS器件及其制作方法。所述高迁移率的p型多晶硅栅LDMOS器件包括半导体基材和栅极，所述半导体基材内分布有体区接触区和漂移区，所述体区接触区、漂移区内分别形成有源区、漏区，以及，所述半导体基材内还分布有沟道区，所述沟道区内还形成有第一掺杂区，所述半导体基材、栅极、体区接触区、沟道区为第一掺杂类型，所述源区、漏区、漂移区和第一掺杂区为第二掺杂类型。本发明提供的高迁移率的P型多晶硅栅LDMOS器件，P型掺杂的沟道区内具有n型轻掺杂区，减少了表面缺陷对电子迁移率的影响，同时减少了热载流子注入效应对半导体器材表面和栅极氧化层的影响，进而提高了器件饱和电流和热载流子注入可靠性的品质因数。