图形化SOILDMOS器件结构专利查询专利号|摘要-满商公司网

图形化SOILDMOS器件结构

基本信息

申请号	CN202122099659.5	申请日	-
公开（公告）号	CN215418189U	公开（公告）日	2022-01-04
申请公布号	CN215418189U	申请公布日	2022-01-04
分类号	H01L29/78（2006.01）I;H01L29/06（2006.01）I;H01L29/10（2006.01）I;H01L23/367（2006.01）I	分类	基本电气元件;
发明人	张耀辉;黄安东	申请（专利权）人	苏州华太电子技术股份有限公司
代理机构	南京利丰知识产权代理事务所（特殊普通合伙）	代理人	赵世发
地址	215000江苏省苏州市工业园区星湖街328号创意产业园10-1F
法律状态	-

摘要

本实用新型公开了一种图形化SOI LDMOS器件结构。所述图形化SOI LDMOS器件结构包括依次叠层设置的衬底、第一绝缘层和外延层，其中，所述第一绝缘层的表面具有第一区域以及不同于第一区域的第二区域，所述第一绝缘层的第一区域开设有沿厚度方向贯穿所述第一绝缘层的图形窗口，所述图形窗口内填充有硅层，所述硅层分别与所述外延层、衬底导热连接；以及源极、漏极、栅极以及与栅极相匹配的场板。本实用新型实施例提供的图形化SOILDMOS器件结构，减小了上层硅器件的厚度，使得氧化层上的LDMOS器件的LDD结深触底到氧化层上，进而减小了Cds，降低了Cdb，并能够显著减小Coss、改善LDMOS的高频性能和效率。