一种可均匀溅射旋转硅靶材及其制备方法
基本信息
| 申请号 | CN202110060541.3 | 申请日 | - |
| 公开（公告）号 | CN112899628A | 公开（公告）日 | 2021-06-04 |
| 申请公布号 | CN112899628A | 申请公布日 | 2021-06-04 |
| 分类号 | C23C14/35;C23C4/131;C23C4/04 | 分类 | 对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面化学处理；金属材料的扩散处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆；金属材料腐蚀或积垢的一般抑制〔2〕; |
| 发明人 | 林志河 | 申请（专利权）人 | 福建阿石创新材料股份有限公司 |
| 代理机构 | 北京高沃律师事务所 | 代理人 | 刘潇 |
| 地址 | 350200 福建省福州市长乐市航城街道琴江村太平里169号 | ||
| 法律状态 | - | ||
摘要
| 摘要 | 本发明提供了一种可均匀溅射旋转硅靶材及其制备方法，属于硅靶材技术领域。本发明提供的可均匀溅射旋转硅靶材自内而外包括衬管、位于所述衬管外表面的自粘结层、位于所述自粘结层表面两端的第一磁性材料层和第二磁性材料层、以及硅外层；所述第一磁性材料层靠近自粘结层的第一端口且距离自粘结层的第一端口外缘3～5mm，所述第二磁性材料层靠近自粘结层的第二端口且距离自粘结层的第二端口外缘3～5mm。本发明通过在自粘结层表面两端设置磁性材料层，能够抵消在磁控溅射过程中磁棒两端产生的磁场，从而降低两端溅射速率，使硅靶材两端使用程度和中间保持一致。 |
