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红光发光二极管芯片及其制作方法

基本信息

申请号 CN202011061527.7 申请日 -
公开（公告）号 CN112366262B 公开（公告）日 2021-10-08
申请公布号 CN112366262B 申请公布日 2021-10-08
分类号 H01L33/14;H01L33/24;H01L33/30;H01L33/00 分类 基本电气元件;
发明人 兰叶;李鹏;吴志浩 申请（专利权）人 华灿光电（浙江）有限公司
代理机构 北京三高永信知识产权代理有限责任公司 代理人 吕耀萍
地址 322000 浙江省金华市义乌市苏溪镇苏福路233号
法律状态 -

摘要

摘要 本公开提供了一种红光发光二极管芯片及其制作方法，属于半导体技术领域。芯片包括透明基板、P型半导体层、有源层、N型半导体层、P型电极、N型电极和电流扩展层；P型半导体层上具有四棱柱状台阶，四棱柱状台阶的第二侧面、第三侧面和第四侧面与四棱柱状台阶的底面之间的夹角均为锐角，电流扩展层铺设在第二侧面和第四侧面上；电流扩展层包括在平行于四棱柱状台阶的底面的方向上交替层叠的第一子层和第二子层；第一子层和第二子层均为掺杂镁的磷化镓层，第一子层中镁的掺杂浓度大于第二子层中镁的掺杂浓度；P型电极设置在电流扩展层、四棱柱状台阶的顶面、以及第三侧面上，N型电极设置在N型半导体层上。本公开可提高抗静电能力。