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增强侧面光强的发光二极管芯片及其制造方法

基本信息

申请号 CN202110540609.8 申请日 -
公开（公告）号 CN113517378A 公开（公告）日 2021-10-19
申请公布号 CN113517378A 申请公布日 2021-10-19
分类号 H01L33/22（2010.01）I;H01L33/00（2010.01）I 分类 基本电气元件;
发明人 兰叶;王江波;吴志浩 申请（专利权）人 华灿光电（浙江）有限公司
代理机构 北京三高永信知识产权代理有限责任公司 代理人 吕耀萍
地址 322000浙江省金华市义乌市苏溪镇苏福路233号
法律状态 -

摘要

摘要 本公开提供了一种增强侧面光强的发光二极管芯片及其制造方法，属于半导体技术领域。发光二极管芯片的衬底的第二表面上布置有多个尖刺结构，第二表面为与第一表面相对的一面，所述尖刺结构为直角三棱柱，所述直角三棱柱包括第一棱柱面和第二棱柱面，所述第一棱柱面垂直于所述第二表面，所述第二棱柱面连接所述第一棱柱面和所述第二表面，且所述第二棱柱面与所述第二表面之间的夹角为θ，0°＜θ≤90°，每个所述直角三棱柱的所述第二棱柱面均朝向所述衬底的中心线。采用该发光二极管芯片可以增强侧面光强。