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发光二极管芯片及其制作方法

基本信息

申请号	CN202010872056.1	申请日	-
公开（公告）号	CN112216782B	公开（公告）日	2021-10-08
申请公布号	CN112216782B	申请公布日	2021-10-08
分类号	H01L33/62（2010.01）I;H01L33/54（2010.01）I	分类	基本电气元件;
发明人	兰叶;吴志浩;李鹏	申请（专利权）人	华灿光电（浙江）有限公司
代理机构	北京三高永信知识产权代理有限责任公司	代理人	吕耀萍
地址	322000浙江省金华市义乌市苏溪镇苏福路233号
法律状态	-

摘要

本公开提供了一种发光二极管芯片及其制作方法，属于半导体技术领域。芯片包括透明基板、N型半导体层、有源层、P型半导体层、N型电极、P型电极、绝缘层、N型焊盘、P型焊盘和保护层；外延层上设有凹槽和隔离槽；N型电极设置在N型半导体层上，P型电极设置在P型半导体层上；绝缘层铺设在除N型电极和P型电极所在区域之外的区域上，绝缘层内设有第一通孔和第二通孔；N型焊盘设置在第一通孔内和绝缘层上，P型焊盘设置在第二通孔内和绝缘层上；N型焊盘和P型焊盘均包括依次层叠的腐蚀敏感层、腐蚀迟钝层和焊接层，保护层插设在N型焊盘和P型焊盘的边缘区域的腐蚀迟钝层中，并至少延伸到N型焊盘和P型焊盘的设置表面。本公开可靠性较高。