发光二极管芯片及其制作方法
基本信息
申请号 | CN202010872056.1 | 申请日 | - |
公开(公告)号 | CN112216782B | 公开(公告)日 | 2021-10-08 |
申请公布号 | CN112216782B | 申请公布日 | 2021-10-08 |
分类号 | H01L33/62(2010.01)I;H01L33/54(2010.01)I | 分类 | 基本电气元件; |
发明人 | 兰叶;吴志浩;李鹏 | 申请(专利权)人 | 华灿光电(浙江)有限公司 |
代理机构 | 北京三高永信知识产权代理有限责任公司 | 代理人 | 吕耀萍 |
地址 | 322000浙江省金华市义乌市苏溪镇苏福路233号 | ||
法律状态 | - |
摘要
摘要 | 本公开提供了一种发光二极管芯片及其制作方法,属于半导体技术领域。芯片包括透明基板、N型半导体层、有源层、P型半导体层、N型电极、P型电极、绝缘层、N型焊盘、P型焊盘和保护层;外延层上设有凹槽和隔离槽;N型电极设置在N型半导体层上,P型电极设置在P型半导体层上;绝缘层铺设在除N型电极和P型电极所在区域之外的区域上,绝缘层内设有第一通孔和第二通孔;N型焊盘设置在第一通孔内和绝缘层上,P型焊盘设置在第二通孔内和绝缘层上;N型焊盘和P型焊盘均包括依次层叠的腐蚀敏感层、腐蚀迟钝层和焊接层,保护层插设在N型焊盘和P型焊盘的边缘区域的腐蚀迟钝层中,并至少延伸到N型焊盘和P型焊盘的设置表面。本公开可靠性较高。 |
