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发光二极管外延片及其制备方法

基本信息

申请号 CN202011061541.7 申请日 -
公开（公告）号 CN112366259B 公开（公告）日 2021-10-08
申请公布号 CN112366259B 申请公布日 2021-10-08
分类号 H01L33/06;H01L33/00 分类 基本电气元件;
发明人 姚振;从颖;董彬忠;李鹏 申请（专利权）人 华灿光电（浙江）有限公司
代理机构 北京三高永信知识产权代理有限责任公司 代理人 吕耀萍
地址 322000 浙江省金华市义乌市苏溪镇苏福路233号
法律状态 -

摘要

摘要 本公开提供了一种发光二极管外延片及其制备方法，属于发光二极管技术领域。多量子阱层的垒层中，第一InGaN子层可实现与InGaN阱层之间的良好过渡，保证垒层在InGaN阱层上的生长基础，第一InN子层则作为过渡层，实现第一InGaN子层到SiN子层的良好过渡与生长，提高SiN子层的晶体质量。而SiN子层本身可起到阻挡位错延伸的作用，避免位错向上延伸，进一步提高在SiN子层上生长的外延结构的晶体质量。最后生长的非掺杂GaN子层则起到常规的GaN垒层作用，保证多量子阱层可正常发光。多量子阱层的晶体质量可得到大幅度提高，最终得到的发光二极管的发光效率也得到提高。