具有复合过渡层的发光二极管外延片及其制备方法
基本信息
| 申请号 | CN202110520704.1 | 申请日 | - |
| 公开（公告）号 | CN113488567A | 公开（公告）日 | 2021-10-08 |
| 申请公布号 | CN113488567A | 申请公布日 | 2021-10-08 |
| 分类号 | H01L33/44（2010.01）I;H01L33/06（2010.01）I;H01L33/00（2010.01）I | 分类 | 基本电气元件; |
| 发明人 | 王群;郭炳磊;葛永晖;王江波;董彬忠;李鹏 | 申请（专利权）人 | 华灿光电（浙江）有限公司 |
| 代理机构 | 北京三高永信知识产权代理有限责任公司 | 代理人 | 吕耀萍 |
| 地址 | 322000浙江省金华市义乌市苏溪镇苏福路233号 | ||
| 法律状态 | - | ||
摘要
| 摘要 | 本发明公开了具有复合过渡层的发光二极管外延片及其制备方法，属于发光二极管制作领域。复合过渡层中SiO2子层层叠在n型GaN层上，SiO2子层本身材料的热膨胀系数小，减小对多量子阱层的影响。保证多量子阱层的发光质量。SiO2子层在衬底的表面的正投影呈网状，SiO2子层阻挡部分的位错。AlGaN子层生长时，两个方向生长所产生的位错可以相互湮灭，AlGaN子层内的缺陷较少，保证多量子阱层的质量的同时有效阻隔了位错延伸至多量子阱层内。多量子阱层的晶体质量得到提高，可以减小非辐射复合，提高发光二极管的发光效率。 |
