首页/ 华灿光电（浙江）有限公司/ 专利详情

微型发光二极管外延片的制备方法

基本信息

申请号 CN202010936345.3 申请日 -
公开（公告）号 CN112259646B 公开（公告）日 2021-10-08
申请公布号 CN112259646B 申请公布日 2021-10-08
分类号 H01L33/00（2010.01）I;H01L33/06（2010.01）I;H01L33/14（2010.01）I 分类 基本电气元件;
发明人 洪威威;王倩;梅劲;张奕;董彬忠 申请（专利权）人 华灿光电（浙江）有限公司
代理机构 北京三高永信知识产权代理有限责任公司 代理人 吕耀萍
地址 322000浙江省金华市义乌市苏溪镇苏福路233号
法律状态 -

摘要

摘要 本公开公开了微型发光二极管外延片的制备方法，属于发光二极管制作领域。在衬底上生长n型层时，以较低的生长压力生长n型层，MO源可以充分反应得到质量较好的n型层。发光层的生长压力整体的生长压力相对n型层更低，发光层中的In原子也有足够的时间渗入发光层中，提高发光层捕捉载流子的能力与微型发光二极管的发光均匀度。p型层的生长压力高于n型层与发光层的生长压力，保证发光层的质量。p型层的生长压力大于n型层与发光层的生长压力还可以起到p型层快速生长。整体提供微型发光二极管的出光均匀度的同时也不会过度提高微型发光二极管的成本。