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氮化镓基发光二极管外延片及其制备方法

基本信息

申请号 CN202110558491.1 申请日 -
公开（公告）号 CN113517381A 公开（公告）日 2021-10-19
申请公布号 CN113517381A 申请公布日 2021-10-19
分类号 H01L33/24（2010.01）I;H01L33/32（2010.01）I;H01L33/00（2010.01）I 分类 基本电气元件;
发明人 王群;郭炳磊;葛永晖;王江波;董彬忠;李鹏 申请（专利权）人 华灿光电（浙江）有限公司
代理机构 北京三高永信知识产权代理有限责任公司 代理人 吕耀萍
地址 322000浙江省金华市义乌市苏溪镇苏福路233号
法律状态 -

摘要

摘要 本公开提供了一种氮化镓基发光二极管外延片及其制备方法，属于半导体技术领域。发光二极管外延片包括衬底、以及依次层叠在衬底上的缓冲层、未掺杂的氮化镓层、N型层、有源层、复合P型层以及P型接触层；复合P型层包括依次层叠在有源层上的第一复合层和第二复合层，第一复合层为氮化镓层，第二复合层为P型氮化镓层，有源层的与第一复合层接触的一面上具有多个凸起，且多个凸起穿过第一复合层，位于第二复合层内，多个凸起为氧化镓材料。该发光二极管外延片可以减少Mg的掺杂，改善小电流下空穴的扩展和有效注入，提高外延片的发光效率。