首页/ 华灿光电（浙江）有限公司/ 专利详情

具有AlN的发光二极管外延片的制备方法

基本信息

申请号 CN202110529500.4 申请日 -
公开（公告）号 CN113481593A 公开（公告）日 2021-10-08
申请公布号 CN113481593A 申请公布日 2021-10-08
分类号 C30B23/02（2006.01）I;C30B29/40（2006.01）I;H01L33/00（2010.01）I;H01L33/12（2010.01）I;H01L33/14（2010.01）I 分类 晶体生长〔3〕;
发明人 洪威威;王倩;梅劲;董彬忠 申请（专利权）人 华灿光电（浙江）有限公司
代理机构 北京三高永信知识产权代理有限责任公司 代理人 吕耀萍
地址 322000浙江省金华市义乌市苏溪镇苏福路233号
法律状态 -

摘要

摘要 本公开提供了一种具有AlN的发光二极管外延片的制备方法，属于发光二极管技术领域。交替在衬底的表面溅射第一AlN膜与第二AlN膜以最终形成AlN缓冲层。并且溅射第一AlN膜时的靶间距为第一靶间距，溅射第二AlN膜时的靶间距为第二靶间距，第一靶间距大于第二靶间距。较大的第一靶间距溅射得到的第一AlN膜的厚度与均匀性会较好。较小的第二靶间距溅射第二AlN膜的速度会较快，提高第二AlN膜的沉积速率。而交替得到的第一AlN膜与第二AlN膜的内部应力得到释放，AlN缓冲层的整体质量得到提高，并且AlN缓冲层的生长速率也得到提高。降低发光二极管外延片的制备周期的同时有效提高发光二极管外延片的晶体质量。