倒装发光二极管芯片及其制备方法
基本信息
| 申请号 | CN202110518546.6 | 申请日 | - |
| 公开（公告）号 | CN113488568A | 公开（公告）日 | 2021-10-08 |
| 申请公布号 | CN113488568A | 申请公布日 | 2021-10-08 |
| 分类号 | H01L33/46（2010.01）I;H01L33/44（2010.01）I;H01L33/00（2010.01）I | 分类 | 基本电气元件; |
| 发明人 | 张威;黄磊;连程杰;王佳;吴志浩;李鹏 | 申请（专利权）人 | 华灿光电（浙江）有限公司 |
| 代理机构 | 北京三高永信知识产权代理有限责任公司 | 代理人 | 吕耀萍 |
| 地址 | 322000浙江省金华市义乌市苏溪镇苏福路233号 | ||
| 法律状态 | - | ||
摘要
| 摘要 | 本发明公开了倒装发光二极管芯片及其制备方法，属于发光二极管制作领域。在p型层与布拉格反射镜之间增加腐蚀截止层，第一容纳槽与第二容纳槽延伸至腐蚀截止层。腐蚀截止层的增加避免布拉格反射镜上的第一容纳槽与第二容纳槽的成形影响到p型层，保证p型层的表面质量。第一容纳槽与第二任容纳槽则提供了第一绝缘保护层的覆盖空间，并将部分布拉格反射镜包覆在第一绝缘保护层内进行保护，之后再在第一绝缘保护层的表面形成第一通孔与第二通孔。第一通孔与第二通孔形成时对已被第一绝缘保护层覆盖的布拉格反射镜没有影响，有效保护了布拉格反射镜的质量，保证了布拉格反射镜的出光并保证了倒装发光二极管芯片的发光效率。 |
