一种薄膜体声波谐振器及其制备方法
基本信息
| 申请号 | CN201810863619.3 | 申请日 | - |
| 公开（公告）号 | CN109302158B | 公开（公告）日 | 2021-07-16 |
| 申请公布号 | CN109302158B | 申请公布日 | 2021-07-16 |
| 分类号 | H03H3/02;H03H9/02;H03H9/17 | 分类 | 基本电子电路; |
| 发明人 | 李国强 | 申请（专利权）人 | 广州市艾佛光通科技有限公司 |
| 代理机构 | 广州容大知识产权代理事务所（普通合伙） | 代理人 | 刘新年 |
| 地址 | 510000 广东省广州市黄埔区金中路23号自编一栋办公区303房 | ||
| 法律状态 | - | ||
摘要
| 摘要 | 本发明公开了一种薄膜体声波谐振器，包括生长衬底、压电薄膜、顶电极和底电极；压电薄膜在生长衬底上外延生长出，压电薄膜的上表面制备得到顶电极，生长衬底上深刻蚀有下引孔，下引孔贯穿成长衬底和压电薄膜；生长衬底的背面刻蚀形成空腔，生长衬底的下表面制备得到底电极。本发明还提供一种薄膜体声波谐振器的制备方法。本发明的薄膜体声波谐振器结构简单，不易塌陷，可以很好的改善压电膜的品质，将成为适用于未来高频、高功率场合下射频滤波器的解决方案。 |
