一种大尺寸低应力单晶氮化物厚膜结构
基本信息
| 申请号 | CN202023081585.4 | 申请日 | - |
| 公开（公告）号 | CN214458453U | 公开（公告）日 | 2021-10-22 |
| 申请公布号 | CN214458453U | 申请公布日 | 2021-10-22 |
| 分类号 | C30B29/48;C30B25/00;C30B23/00;C30B33/08;H01L21/02 | 分类 | 晶体生长〔3〕; |
| 发明人 | 李国强 | 申请（专利权）人 | 广州市艾佛光通科技有限公司 |
| 代理机构 | 广州市越秀区哲力专利商标事务所（普通合伙） | 代理人 | 杨艳 |
| 地址 | 510700 广东省广州市黄埔区金中路23号自编一栋办公区303房 | ||
| 法律状态 | - | ||
摘要
| 摘要 | 本实用新型公开了一种大尺寸低应力单晶氮化物厚膜结构，包括衬底，及生长在所述衬底上的单晶氮化物厚膜；所述衬底上刻蚀有沟道，所述沟道将所述衬底的表面分成多个不连续的区域；所述沟道的深度大于所述单晶氮化物厚膜的厚度。本实用新型通过刻蚀沟道将衬底表面分割成多个独立的不连续的区域，再生长氮化物层，降低了大尺寸单晶氮化物在外延生长过程中的应力积累和外延薄膜与衬底之间的应力力矩，得到的大尺寸低应力单晶氮化物厚膜结构尺寸大、膜厚度大，同时应力低、不卷曲、无裂纹，可应用于FBAR滤波器的制备。 |
